10月21日，廣東省人民政府辦公廳印發(fā)《廣東省加快推動光芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展行動方案（2024—2030年）》（以下簡稱《行動方案》），明確力爭到2030年，廣東取得10項以上光芯片領域關鍵核心技術突破，打造10個以上“拳頭”產(chǎn)品，培育10家以上具有國際競爭力的一流領軍企業(yè)，建設10個左右國家和省級創(chuàng)新平臺。

《行動方案》從六大方面提出了18項重點任務，并提出關鍵材料裝備攻關工程、產(chǎn)業(yè)強鏈補鏈建設工程、核心產(chǎn)品示范應用工程和前沿技術產(chǎn)業(yè)培育工程等重點工程方面的8項任務，以加快培育發(fā)展光芯片產(chǎn)業(yè)。

突破產(chǎn)業(yè)關鍵技術，加快中試轉化進程

《行動方案》提出，強化光芯片基礎研究和原始創(chuàng)新能力。鼓勵有條件的企業(yè)、高校、科研院所等圍繞單片集成、光子計算等未來前沿科學問題開展基礎研究。支持科技領軍企業(yè)、高校、科研院所積極承擔國家級光芯片相關重大攻關任務，形成一批硬核成果。

同時，省重點領域研發(fā)計劃支持光芯片技術攻關。加大對高速光通信芯片、高性能光傳感芯片等方向的研發(fā)投入力度，著力解決產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的“卡點”“堵點”問題。

加大“強芯”工程對光芯片的支持力度。擴大省級科技創(chuàng)新戰(zhàn)略專項、制造業(yè)當家重點任務保障專項等支持范圍，將面向集成電路產(chǎn)業(yè)底層算法和架構技術的研發(fā)補貼、量產(chǎn)前首輪流片獎補等產(chǎn)業(yè)政策，擴展至光芯片設計自動化軟件（PDA工具）、硅光MPW流片等領域，強化光芯片領域產(chǎn)品研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化應用。

按照《行動方案》，加快建設一批概念驗證中心、研發(fā)先導線和中試線。支持企業(yè)、高校、科研院所等圍繞高速光通信芯片、高性能光傳感芯片等領域，建設概念驗證中心、研發(fā)先導線和中試線，加快科技成果轉化進程。

鼓勵中試平臺孵化更多創(chuàng)新企業(yè)。鼓勵中試平臺搭建眾創(chuàng)空間、孵化器、加速器等各類孵化載體，并通過許可、出售等方式將成熟技術成果轉讓給企業(yè)，或將部分成果通過設立子公司的方式實現(xiàn)商業(yè)化，孵化培養(yǎng)更多光芯片領域新物種企業(yè)。

建設創(chuàng)新平臺體系，推動產(chǎn)業(yè)集聚發(fā)展　

《行動方案》要求，聚焦前沿技術領域建設一批戰(zhàn)略性平臺。依托企業(yè)、高校、科研院所、新型研發(fā)機構等各類創(chuàng)新主體，布局建設一批光芯片領域共性技術研發(fā)平臺，主要聚焦基礎理論研究和新興技術、顛覆性技術攻關，加快形成前沿性、交叉性、顛覆性技術原創(chuàng)成果，實現(xiàn)更多“從0到1”的突破。

同時，聚焦產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新領域培育一批專業(yè)化平臺。引進國內外戰(zhàn)略科技力量，培育一批產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、技術創(chuàng)新中心、制造業(yè)創(chuàng)新中心、企業(yè)技術中心、工程研究中心、重點實驗室等創(chuàng)新平臺，主要聚焦光芯片關鍵細分環(huán)節(jié)，加快技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)孵化，不斷提升細分領域產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢。

聚焦特色優(yōu)勢領域打造產(chǎn)業(yè)集群。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地發(fā)揮半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈基礎優(yōu)勢，結合本地區(qū)當前發(fā)展人工智能、大模型、新一代網(wǎng)絡通信、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、數(shù)據(jù)中心等產(chǎn)業(yè)科技的需要，加快培育光通信芯片、光傳感芯片等產(chǎn)業(yè)集群，打造涵蓋設計、制造、封測等環(huán)節(jié)的光芯片全產(chǎn)業(yè)鏈，積極培育光計算芯片等未來產(chǎn)業(yè)。

支持各地規(guī)劃建設光芯片專業(yè)園區(qū)。支持廣州、深圳、珠海、東莞等地依托半導體及集成電路產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)，規(guī)劃建設各具特色的光芯片專業(yè)園區(qū)。

大力培育領軍企業(yè)，加強合作協(xié)同創(chuàng)新

《行動方案》提出，支持引進和培育一批領軍企業(yè)。圍繞光芯片關鍵細分領域和產(chǎn)業(yè)鏈重點環(huán)節(jié)，引進一批匯聚全球資源、在細分領域占據(jù)引領地位的領軍企業(yè)和新物種企業(yè)。支持有條件的光芯片企業(yè)圍繞產(chǎn)業(yè)鏈重點環(huán)節(jié)進行并購整合，加快提升業(yè)務規(guī)模。

支持孵化和培育一批科技型初創(chuàng)企業(yè)。支持龍頭企業(yè)與國內外企業(yè)、高等院校、研究機構聯(lián)合搭建未來產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)合體，探索產(chǎn)學研協(xié)同攻關和產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)合攻關，孵化和培育一批科技型初創(chuàng)企業(yè)。鼓勵半導體及集成電路頭部企業(yè)發(fā)揮產(chǎn)業(yè)基礎優(yōu)勢，延伸布局光芯片相關領域。

《行動方案》提到，積極爭取國家級項目。積極對接國家集成電路戰(zhàn)略布局，爭取一批國家級光芯片項目落地廣東。

積極對接港澳創(chuàng)新資源。加強與香港、澳門高等院校、科研院所的協(xié)同創(chuàng)新，對接優(yōu)質科技成果、創(chuàng)新人才和金融資本，加快導入并形成一批技術創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新成果。

積極對接國內外其他區(qū)域創(chuàng)新資源。加強與京津冀、長三角等國內先進地區(qū)企業(yè)、機構交流合作，探索開展跨區(qū)域協(xié)同合作，加強導入優(yōu)質研發(fā)資源和產(chǎn)業(yè)資源。建立與國際知名高校、研發(fā)機構、技術轉移機構等各類創(chuàng)新主體的交流合作機制，加強技術和人員交流。　

推動產(chǎn)業(yè)強鏈補鏈，加強光芯片設計研發(fā)

在關鍵材料裝備攻關工程方面，《行動方案》提出，大力支持硅光材料、化合物半導體等光芯片關鍵材料研發(fā)制造。同時，大力推動刻蝕機、鍵合機、外延生長設備及光矢量參數(shù)網(wǎng)絡測試儀等光芯片關鍵裝備研發(fā)和國產(chǎn)化替代；落實工業(yè)設備更新改造政策，加快光芯片關鍵設備更新升級。此外，大力支持收發(fā)模塊、調制器、可重構光神經(jīng)網(wǎng)絡推理器、PLC分路器、AWG光柵等光器件及光模塊核心部件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化；支持硅光集成、異質集成、磊晶生長和外延工藝、制造工藝等光芯片相關制造工藝研發(fā)和持續(xù)優(yōu)化。

在產(chǎn)業(yè)強鏈補鏈建設工程方面，《行動方案》提到，鼓勵有條件的機構對標國際一流水平；支持光芯片設計企業(yè)圍繞光通信互連收發(fā)芯片、FP/DFB/EML/VCSEL激光芯片、PIN/APD探測芯片、短波紅外有機成像芯片、TOF/FMCW激光雷達芯片、3D視覺感知芯片等領域加強研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化布局。同時，在符合國家產(chǎn)業(yè)政策基礎上，大力支持技術先進的光芯片IDM（設計、制造、封測一體化）、Foundry（晶圓代工）企業(yè)，加大基于硅基、鍺基、化合物半導體、薄膜鈮酸鋰等平臺材料，以及各類材料異質異構集成、多種功能光電融合的光芯片、光模塊及光器件的產(chǎn)線和產(chǎn)能布局。另外，緊貼市場需求，大力發(fā)展片上集成、3D堆疊、光波器件與光芯片的共封裝（CPO）以及光I/O接口等先進封裝技術。

在核心產(chǎn)品示范應用工程方面，《行動方案》提出，大力支持光芯片在新一代信息通信、數(shù)據(jù)中心、智算中心、生物醫(yī)藥、智能網(wǎng)聯(lián)汽車等產(chǎn)業(yè)的場景示范和產(chǎn)品應用。（記者 胡彥）